个人简介

任裔，凝聚态物理学博士。2020年6月博士毕业于湖南师范大学开云线上官网(中国)官方网站（导师：周光辉教授）。2020年9月至2022年12月，北京量子信息科学研究院量子材料与器件部/中国科学院半导体研究所联培博士后（导师：常凯院士）。2023年1月至12月，在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室担任项目聘用访问学者。主要研究方向为二维磁性材料及其量子相变。在Phys. Rev. B、Phys. Rev. Appl.、JPCL、Carbon等期刊上发表SCI论文10余篇。

欢迎校内外对凝聚态物理理论计算方面感兴趣的本科生/研究生加入我们。

Email: yren@hunnu.edu.cn

研究方向:

1. 新型磁性材料及其量子相变；

2. 半导体表界面及其器件物理。

教学情况

本科生教学：《热学》《普通物理》《大学物理实验》

研究生教学：《固体物理》

承担课题

1. 国家自然科学基金青年基金项目，12404132，30万元，在研,

2. 国家自然科学基金理论物理专款博士后项目，12147141，18万元，主持, 已结题

3. 第70批博士后面上项目二等资助，2021M700443，8万元，主持， 已结题

4. 北京市博士后资助项目一等资助，Y21PJ2122027，10万元，主持， 已结题

5. 湖南省教育厅重点项目，24A0060，6万元，参与，在研

代表性论文

1. Yi Ren, Shasha Ke, Wen-Kai Lou*, and Kai Chang*，Quantum phase transitions driven by sliding in bilayer MnBi2Te4，Phys. Rev. B 106, 235302 (2022).

2. Yi Ren, Xiaoying Zhou, and Guanghui Zhou*，Edge and sublayer degrees of freedom for phosphorene nanoribbons with twofold-degenerate edge bands via electric field，Phys. Rev. B 103, 045405 (2021).

3. Yi Ren, Pu Liu, Benliang Zhou, Xiaoying Zhou* and Guanghui Zhou*，Crystallographic Characterization of Black Phosphorene and its Application in Nanostructures，Phys. Rev. Appl. 12, 064025 (2019).

4. Yi Ren^#,Yun Lu^#, and Dong Zhang*，Enhanced Hydrogen Storage Capacity in Two-Dimensional Fullerene Networks, J. Phys. Chem. Lett. 14, 11051−11057 (2023).

5. Yi Ren, Fang Cheng*, Xiaoying Zhou, Kai Chang, Guanghui Zhou*，Tunable mechanical, electronic and magnetic properties of monolayer C3N nanoribbons by external fields,Carbon 143, 14-20 (2019).

6. Yi Ren, Pu Liu, Fang Cheng* and Guanghui Zhou*, Strain-induced effects in zigzag-edged blue phosphorene nanoribbons with edge sulfur passivation, J. Phys.: Condens. Matter, 30, 395303 (2018).

7. Yi Ren, Fang Cheng*, Z. H. Zhang & Guanghui Zhou, Half metal phase in the zigzag phosphorene nanoribbon, Sci. Rep. 8, 2932 (2018).

8. Yi Ren, Fang Cheng*, Ballistic Transport through a Strained Region on Monolayer Phosphorene, CHIN. PHYS. LETT. 34,027302 (2017).

9. Shuhan Sun*,Yi Ren,* Dong Zhang, Wen-Kai Lou,†and Kai Chang‡, Current-induced spin polarization and spin Hall effect in III-V compounds two-dimensional materials,Phys. Rev. B 110, 165430 (2024).